据《商业时报》援引设备制造商的报道称,台积电将于今年 9 月开始使用其领先的 N3(3nm 级)制造工艺大规模生产芯片。这家合同芯片制造商将于明年初向其客户交付使用其 N3 节点制造的首批产品。
传统上,台积电在 3 月至 5 月的某个时间段开始对新节点进行大批量制造 (HVM),以为通常在 9 月推出的 Apple 最新款 iPhone 生产足够的芯片。但是台积电 N3 节点的开发时间比平时要长,这就是为什么苹果即将推出的智能手机芯片将使用不同的节点。相比之下,台积电的首批 3nm 芯片将在 9 月达到 HVM 里程碑,这比台积电最初承诺的要晚一些(与典型时间表相比延迟了几个月)。尽管如此,该公司仍将实现其在下半年开始生产 N3 的目标。
N3E 与 N5 | N3 与 N5 | |
速度提升@相同功率 | +18% | +10% ~ 15% |
相同速度下的功率降低 | -34% | -25% ~ -30% |
逻辑密度 | 1.7 倍 | 1.6 倍 |
HVM 启动 | 2023 年第二季度/第三季度 | 2022 年下半年 |
与最初的 N5 制造技术相比,最初的 N3 制造工艺预计将提供 10% 到 15% 的性能提升(在相同的功率和复杂性下),将功耗降低 25% – 30%(在相同的速度和晶体管数量),并将逻辑密度提高约 1.6 倍。