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罗姆计划为150V GaN功率晶体管提供8V栅极

GaN HEMT 的弱点之一是其栅极的额定电压低(通常约为 6V),这使它们容易受到瞬态损坏,特别是因为它们需要大约 5V 的驱动才能运行。

“罗姆成功地使用原始结构将额定栅源电压从典型的 6V 提高到 8V,”该公司表示。“这使得使用 GaN 的电源电路既可以提高设计余量,又可以提高可靠性。”

更多信息已被披露。

三款设备的样品定于 9 月发布:

漏电流 通道电阻 栅极电荷
5A 40mΩ 2nC
15A 15mΩ 5.4nC
20A 7毫欧 11.5nC

封装为 5 x 6 x 0.9mm DFN5060,采用专为晶体管设计的封装。

预计将应用于数据中心和基站的 48V 输入降压转换器、基站中的功率放大器升压转换器、D 类音频放大器、激光雷达驱动器和无线充电器。

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