GaN HEMT 的弱点之一是其栅极的额定电压低(通常约为 6V)，这使它们容易受到瞬态损坏，特别是因为它们需要大约 5V 的驱动才能运行。
“罗姆成功地使用原始结构将额定栅源电压从典型的 6V 提高到 8V，”该公司表示。“这使得使用 GaN 的电源电路既可以提高设计余量，又可以提高可靠性。”
更多信息已被披露。
三款设备的样品定于 9 月发布：
| 漏电流 | 通道电阻 | 栅极电荷 |
| 5A | 40mΩ | 2nC |
| 15A | 15mΩ | 5.4nC |
| 20A | 7毫欧 | 11.5nC |
封装为 5 x 6 x 0.9mm DFN5060，采用专为晶体管设计的封装。
预计将应用于数据中心和基站的 48V 输入降压转换器、基站中的功率放大器升压转换器、D 类音频放大器、激光雷达驱动器和无线充电器。