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sel是单粒子锁定（single event latch-up）的缩写，是空间辐射单粒子效应的一种。主要发生于互补型金属氧化物半导体晶体管(CMOS)器件上。CMOS器件的PNPN4层结构形成了寄生可控制结构、正常情况下，寄生的可控殊处于高限关闭状态。
单个带电粒子人射产生的瞬态电流触发可控硅结构使共导通，内丁控砝的正反馈特性使电流不断增大，可控砖进人大电流再生状态，即导致锁定。大电流会导致器件局部温度升高，器件永久性损坏。
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SEL防护技术
在整个SEL试验过程中，不同器件发生SEL饱和电流及持续时间相差较大，即使同一批器件也会有一定的差异，小的SEL饱和电流只有几十毫安，大的可达数百毫安，甚至达到安培级。有时还可能出现微锁定、饱和电流略大于正常工作电流。
另外由于空间环境的辐射作用，器件承受的辐射剂量不断增加，器件的性能也相应变差，饱和锁定电流和启动锁定电流都会相应变化。对器件SEL监测条件而言，如何正确选择SEL的门槛电流，对于SEL的防护至关重要的。
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