DDR5 内存在几个月前才成为主流，但三星已经处于下一代 DDR6 内存的早期开发过程中。
三星确认 DDR6 内存的早期开发已经开始，利用 MSAP 技术并旨在提供高达 17,000 Mbps 的速度
在韩国水原举行的一次研讨会上，三星测试和系统封装 (TSP) 副总裁透露，随着未来内存本身性能的扩展，封装技术需要不断发展。该公司证实，它已经处于下一代 DDR6 内存的早期开发阶段，该内存将使用 MSAP 技术。
据三星称，MSAP 已被其竞争对手(SK 海力士和美光)用于 DDR5。那么 MSAP 有什么新功能呢?嗯，MSAP 或改进的半加法工艺允许 DRAM 制造商创建具有更精细电路的内存模块。这是通过在先前未触及的空白空间中涂覆电路图案来实现的，从而实现更好的连接和更快的传输速度。下一代 DDR6 内存不仅将利用 MSAP 来增强电路连接，还可以适应将被合并到 DDR6 内存中的层数增加。
之前的拉盖方法只在圆形铜板将要形成电路图案的区域进行涂覆，而将其他区域蚀刻掉。
但在 MSAP 中，除了电路之外的区域都经过涂层处理，而空白区域则进行了电镀，从而可以实现更精细的电路。副总裁说，随着存储芯片容量和数据处理速度的增加，封装的设计必须适应这一点。Ko说，随着层数的增加和工艺变得更加复杂，内存封装市场也有望成倍增长。
在扇出方面，另一种将 I/O 端子放置在芯片外部以使芯片变得更小同时保持球布局的封装技术，三星同时应用了扇出晶圆级封装 (FO-WLP) 和风扇面板级封装 (FO-PLP)。
来自韩国电子工业媒体 THE ELEC
三星预计其 DDR6 设计将在 2024 年完成，但预计 2025 年之后不会商用。在规格方面，DDR6 内存将是现有 DDR5 内存的两倍，传输速度高达 12,800 Mbps(JEDEC ) 和超频速度超过 17,000 Mbps 范围。目前，三星最快的 DDR5 DIMM具有高达 7,200 Mbps 的传输速度，因此在 JEDEC 上提高了 1.7 倍，在下一代内存芯片的超频速度下提高了 2.36 倍。