Innosilicon 实现 10,000 Mbps LPDDR5X DRAM 速度

导读 Innosilicon宣布,该公司在其 LPDDR5X DRAM 上实现了稳定的 10,000 Mbps 或 10 Gbps 传输速率。中国 DRAM 制造商 Innosilicon

Innosilicon宣布,该公司在其 LPDDR5X DRAM 上实现了稳定的 10,000 Mbps 或 10 Gbps 传输速率。

中国 DRAM 制造商 Innosilicon 在 LPDDR5X 内存上实现 10,000 Mbps 传输速率

JEDEC 正式将LPDDR5X 标准设定为 8533 Mbps,而 LPDDR5 标准设定为 6400 Mbps。芯动科技领先一步,在LPDDR5X DRAM的自主研发上取得重大突破。

这家中国芯片制造商的 LPDDR5X/LPDDR5/DDR5 IP 达到了 10,000 Mbps (10 Gbps)。这比 LPDDR5-6400 增加了 56%,比 LPDDR5X-8533 标准增加了 17%。凭借这些速度,该公司还注意到延迟降低了 15%,使其成为 5G 通信、汽车、AI 边缘计算和 AR/VR 设备的合适产品。

Innosilicon LPDDR5X-10,000 Mbps(80 GB/s 带宽)

JEDEC LPDDR5X - 8,533 Mbps(68.2 GB/s 带宽)

JEDEC LPDDR5 - 6,400 Mbps(51.2 GB/s 带宽)

芯动科技还完成了5/7nm、12/14nm等先进节点LPDDR5X DRAM的量产验证。这意味着高速存储芯片现在可以进入量产阶段。毫无疑问,10 Gbps 的速度绝对是 DRAM 速度的一个突破,我们可以期待来年第一批采用这种高速内存的设备。Innosilicon 还提供一系列其他 DRAM 解决方案,例如 GDDR6/X、HBM3/2E和 LPDDR5/X/4/4X (DDR5 / DDR4)。

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